Настоящий стандарт определяет требования, методы контроля, правила контроля, маркировку, упаковку, транспортировку, хранение, сертификаты качества и заказы (или контракты) на полированные пластины монокристаллического карбида кремния 4H и 6H. Настоящий стандарт распространяется на монокристаллические полировальные пластины карбида кремния 4H и 6H, полученные после односторонней или двусторонней полировки. Продукция в основном используется для изготовления эпитаксиальных подложек для полупроводникового освещения и силовой электронной техники.
GB/T 30656-2014 Ссылочный документ
DIN 50448 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Бесконтактное определение удельного электросопротивления полуизолирующих полупроводниковых пластинок с помощью емкостного зонда
GB/T 13387 Метод испытаний для измерения плоских пластин кремния и других электронных материалов
GB/T 13388 Способ измерения кристаллографической ориентации плоских поверхностей на пластинах и пластинах монокристаллического кремния рентгеновскими методами
GB/T 14140 Метод испытаний для измерения диаметра полупроводниковой пластины
GB/T 14264 Полупроводниковые материалы. Термины и определения
GB/T 1555 Метод определения кристаллической ориентации монокристалла полупроводника*, 2023-08-06 Обновление
GB/T 29505 Метод испытаний для измерения шероховатости плоских поверхностей кремниевой пластины
GB/T 29507 Метод испытаний для измерения плоскостности, толщины и изменения общей толщины кремниевых пластин. Автоматическое бесконтактное сканирование.
GB/T 31351 Метод неразрушающего контроля микротрубной плотности полированных пластин монокристаллического карбида кремния
GB/T 6616 Бесконтактный вихретоковый метод измерения удельного сопротивления полупроводниковых пластин и листов полупроводниковых пленок.*, 2023-08-06 Обновление
GB/T 6619 Метод испытаний дуги из кремниевых пластин
GB/T 6620 Метод испытаний для измерения коробления кремниевых пластинок бесконтактным сканированием
GB/T 6624 Стандартный метод измерения качества поверхности полированных пластинок кремния путем визуального контроля