Настоящий стандарт устанавливает технические требования, методы испытаний, контроль и испытания, маркировку, упаковку, транспортирование и хранение монокристаллических полированных подложек сапфира высокой чистоты для эпитаксиального нитрида галлия. Настоящий стандарт распространяется на изготовление монокристаллических полированных подложек сапфира высокой чистоты для эпитаксиального нитрида галлия полупроводниковых светодиодов.
SJ/T 11396-2009 Ссылочный документ
GB/T 1031-1995 Параметры шероховатости поверхности и их значения
GB/T 14264-1993 Полупроводниковые материалы. Термины и определения
GB/T 1554-1995 Метод испытания кристаллографического совершенства кремния методами преимущественного травления
GB/T 1555 Метод определения кристаллической ориентации монокристалла полупроводника*, 2023-08-06 Обновление
GB/T 2828.1-2003 Процедуры отбора проб для проверки по характеристикам. Часть 1. Схемы выборки, индексированные по пределу приемочного качества (AQL), для проверки каждой партии.
GB/T 6618 Метод испытания толщины и изменения общей толщины пластинок кремния
GB/T 6619 Метод испытаний дуги из кремниевых пластин
GB/T 6620 Метод испытаний для измерения коробления кремниевых пластинок бесконтактным сканированием
GB/T 6621 Методы проверки плоскостности поверхности пластинок кремния
GB/T 6624 Стандартный метод измерения качества поверхности полированных пластинок кремния путем визуального контроля
SJ 20744-1999 Общие правила спектрального анализа инфракрасного поглощения на концентрацию примесей в полупроводниковых материалах
SJ/T 11396-2009 История
2009SJ/T 11396-2009 Сапфировые подложки для нитридных светодиодов