GB/T 26068-2010
Метод испытания времени жизни рекомбинации носителей заряда в кремниевых пластинах путем бесконтактного измерения затухания фотопроводимости по коэффициенту микроволнового отражения (Англоязычная версия)
- Стандартный №
- GB/T 26068-2010
- язык
- Китайский, Доступно на английском
- Дата публикации
- 2011
- Разместил
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- состояние
- 2019-11
- быть заменен
- GB/T 26068-2018
- Последняя версия
- GB/T 26068-2018
- сфера применения
- Этот метод пригоден для измерения времени жизни рекомбинации носителей равномерно легированных и полированных кремниевых пластин n- или p-типа. Этот метод представляет собой неразрушающее бесконтактное измерение. При условии, что чувствительность системы обнаружения проводимости достаточна, метод также можно применять для проверки времени жизни рекомбинации носителей разрезанных, измельченных или корродированных кремниевых пластин. 2 Нижний предел удельного сопротивления тестируемой кремниевой пластины при комнатной температуре определяется пределом чувствительности системы обнаружения, обычно между 0,05•см и 1Ом•см. 3 Анализ процесса, исследование источников загрязнения и интерпретация данных измерений для выявления механизма образования и природы примесных центров выходят за рамки настоящего метода. Этот метод позволяет идентифицировать процесс внесения загрязнений и идентифицировать некоторые отдельные типы примесей только в очень ограниченных условиях, например, путем сравнения значений испытаний на срок службы носителя до и после конкретного процесса.
GB/T 26068-2010 Ссылочный документ
- GB/T 11446.1 Вода электронного качества*， 2013-12-31 Обновление
- GB/T 13389 Практика преобразования между удельным сопротивлением и плотностью легирующей примеси для кремния, легированного бором, фосфором и мышьяком.*， 2014-12-31 Обновление
- GB/T 14264 Полупроводниковые материалы. Термины и определения
- GB/T 1550 Методы испытаний типа проводимости примесных полупроводниковых материалов*， 2018-12-28 Обновление
- GB/T 1552 Методика измерения удельного сопротивления монокристаллического кремния и германия коллинеарной четырехзондовой решеткой
- GB/T 1553-2009 Методы определения времени жизни неосновных носителей в объемном германии и кремнии путем измерения затухания фотопроводимости
- GB/T 6616 Бесконтактный вихретоковый метод измерения удельного сопротивления полупроводниковых пластин и листов полупроводниковых пленок.*， 2023-08-06 Обновление
- GB/T 6618 Метод испытания толщины и изменения общей толщины пластинок кремния
- YS/T 679-2008 Методы определения диффузионной длины неосновных носителей заряда в внешних полупроводниках путем измерения стационарной поверхностной фотоэдс
GB/T 26068-2010 История
- 2019 GB/T 26068-2018 Измерение времени жизни рекомбинации носителей кремниевой пластины и слитка. Бесконтактное микроволновое отражение. Метод затухания фотопроводимости.
- 2011 GB/T 26068-2010 Метод испытания времени жизни рекомбинации носителей заряда в кремниевых пластинах путем бесконтактного измерения затухания фотопроводимости по коэффициенту микроволнового отражения
