YS/T 679-2008
Методы определения диффузионной длины неосновных носителей заряда в внешних полупроводниках путем измерения стационарной поверхностной фотоэдс (Англоязычная версия)
- Стандартный №
- YS/T 679-2008
- язык
- Китайский, Доступно на английском
- Дата публикации
- 2008
- Разместил
- Professional Standard - Non-ferrous Metal
- состояние
- 2019-04
- быть заменен
- YS/T 679-2018
- Последняя версия
- YS/T 679-2018
- сфера применения
- 1.1 Настоящий стандарт применяется к измерению диффузионной длины неосновных носителей заряда в образцах примесных монокристаллических полупроводниковых материалов или гомоэпитаксиальных слоях с известным удельным сопротивлением, нанесенных на сильно легированные подложки того же типа проводимости. Толщина образца или эпитаксиального слоя должна быть более чем в 4 раза больше диффузионной длины. 1.2 Настоящий стандарт разработан для применения образцов монокристаллического кремния и может использоваться для измерения эффективной длины диффузии и оценки кристаллографической эффективной длины диффузии на образце поликремния с межзеренными границами, перпендикулярными поверхности. Этот стандарт также можно использовать для измерения ширины чистой зоны кремниевых пластин. 1.3 Предел применения настоящего стандарта в отношении удельного сопротивления и срока службы образцов не определен, но образцы кремния p- и n-типа с удельным сопротивлением (0,l~50)Ом·см и временем жизни носителей тока всего 2 нс были успешно исследованы. протестировано.Измерение. Длина диффузии, измеренная в этом стандарте, проводится только при комнатной температуре 22 ° C ± 0,5 ° C. Срок службы и длина диффузии являются функциями температуры.
YS/T 679-2008 Ссылочный документ
- GB/T 11446.1 Вода электронного качества*， 2013-12-31 Обновление
- GB/T 14264 Полупроводниковые материалы. Термины и определения*， 2009-10-30 Обновление
- GB/T 14847 Метод определения толщины эпитаксиальных слоев легколегированного кремния на подложках из сильнолегированного кремния методом отражения инфракрасного излучения*， 2011-01-10 Обновление
- GB/T 1552 Методика измерения удельного сопротивления монокристаллического кремния и германия коллинеарной четырехзондовой решеткой
- GB/T 1553 Определение времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии и германии методом распада фотопроводимости*， 2023-08-06 Обновление
- GB/T 6616 Бесконтактный вихретоковый метод измерения удельного сопротивления полупроводниковых пластин и листов полупроводниковых пленок.*， 2023-08-06 Обновление
- GB/T 6618 Метод испытания толщины и изменения общей толщины пластинок кремния*， 2009-10-30 Обновление
YS/T 679-2008 История
- 2018 YS/T 679-2018 Измерение длины диффузии неосновных носителей заряда в примесных полупроводниках методом поверхностной фотоэдс
- 2008 YS/T 679-2008 Методы определения диффузионной длины неосновных носителей заряда в внешних полупроводниках путем измерения стационарной поверхностной фотоэдс
