GB/T 14847-2010 Метод определения толщины эпитаксиальных слоев легколегированного кремния на подложках из сильнолегированного кремния методом отражения инфракрасного излучения (Англоязычная версия)
Этот стандарт определяет метод измерения коэффициента отражения инфракрасного излучения для толщины эпитаксиального слоя легколегированного кремния на сильнолегированной подложке. Настоящий стандарт применяется к измерению толщины эпитаксиальных слоев кремния n-типа и p-типа, удельное сопротивление подложки которых составляет менее 0,02 Ом·см при 23°C, а удельное сопротивление эпитаксиального слоя превышает 0,1 Ом·см. при 23°С и толщине эпитаксиального слоя более 2 мкм; С точки зрения точности этот метод в принципе также подходит для проверки толщины эпитаксиальных слоев n-типа и p-типа от 0,5 до 2 мкм.
GB/T 14847-2010 Ссылочный документ
GB/T 14264 Полупроводниковые материалы. Термины и определения
GB/T 1552 Методика измерения удельного сопротивления монокристаллического кремния и германия коллинеарной четырехзондовой решеткой
GB/T 6379.2 Точность (правильность и точность) методов измерения и результатов. Часть 2: Основной метод определения повторяемости и воспроизводимости стандартного метода измерения.
GB/T 14847-2010 История
2011GB/T 14847-2010 Метод определения толщины эпитаксиальных слоев легколегированного кремния на подложках из сильнолегированного кремния методом отражения инфракрасного излучения
1993GB/T 14847-1993 Метод определения толщины эктаксиальных слоев легколегированного кремния на подложках из сильнолегированного кремния по коэффициенту отражения инфракрасного излучения