YS/T 679-2018 (Англоязычная версия) Измерение длины диффузии неосновных носителей заряда в примесных полупроводниках методом поверхностной фотоэдс - Стандарты и спецификации PDF

YS/T 679-2018
Измерение длины диффузии неосновных носителей заряда в примесных полупроводниках методом поверхностной фотоэдс (Англоязычная версия)

Стандартный №
YS/T 679-2018
язык
Китайский, Доступно на английском
Дата публикации
2018
Разместил
工业和信息化部
Последняя версия
YS/T 679-2018
заменять
YS/T 679-2008

YS/T 679-2018 История

  • 2018 YS/T 679-2018 Измерение длины диффузии неосновных носителей заряда в примесных полупроводниках методом поверхностной фотоэдс
  • 2008 YS/T 679-2008 Методы определения диффузионной длины неосновных носителей заряда в внешних полупроводниках путем измерения стационарной поверхностной фотоэдс



© 2023. Все права защищены.