1.1 Настоящее руководство посвящено определению плотности кристаллографических дефектов в полированных и эпитаксиальных кремниевых пластинах без рисунка. Эпитаксиальные кремниевые пластины могут иметь дислокации, холмики, неглубокие ямки или эпитаксиальные дефекты упаковки, тогда как полированные пластины могут иметь несколько форм кристаллографических дефектов или повреждений поверхности. Использование этой практики основано на применении нескольких ссылочных стандартов в установленной последовательности для выявления и подсчета микроскопических дефектов или структур. 1.2 Материалы, к которым применима данная практика, могут определяться ограничениями ссылочных документов. 1.2.1 Этот метод подходит для использования с эпитаксиальными или полированными пластинами, выращенными в направлении (111) или (100) и легированными либо p-, либо n-типом с удельным сопротивлением более 0,0005 Омега-см. 1.2.2 Этот метод подходит для использования с эпитаксиальными пластинами с толщиной слоя более 0,5·181 мкм. 1.3 Настоящий стандарт не претендует на решение всех проблем безопасности, если таковые имеются, связанных с его использованием. Пользователь настоящего стандарта несет ответственность за установление соответствующих мер безопасности и охраны труда и определение применимости нормативных ограничений перед использованием.
ASTM F1726-97 Ссылочный документ
ASTM D5127 Стандартное руководство для сверхчистой воды, используемой в электронной и полупроводниковой промышленности*, 1999-11-09 Обновление