ASTM F1726-02 - Стандарты и спецификации PDF

ASTM F1726-02

Стандартный №
ASTM F1726-02
Дата публикации
1970
Разместил
/
Последняя версия
ASTM F1726-02
сфера применения
1.1 Настоящее руководство посвящено определению плотности кристаллографических дефектов в полированных и эпитаксиальных кремниевых пластинах без рисунка. Эпитаксиальные кремниевые пластины могут иметь дислокации, холмики, неглубокие ямки или эпитаксиальные дефекты упаковки, тогда как полированные пластины могут иметь несколько форм кристаллографических дефектов или повреждений поверхности. Использование этой практики основано на применении нескольких ссылочных стандартов в установленной последовательности для выявления и подсчета микроскопических дефектов или структур. 1.2 Материалы, к которым применима данная практика, могут определяться ограничениями ссылочных документов. 1.2.1 Этот метод подходит для использования с эпитаксиальными или полированными пластинами, выращенными в направлении [111] или [100] и легированными либо p-, либо n-типом с удельным сопротивлением более 0,005 В·см. 1.2.2 Этот метод подходит для использования с эпитаксиальными пластинами с толщиной слоя более 0,5 мкм. 1.3 Настоящий стандарт не претендует на решение всех проблем безопасности, если таковые имеются, связанных с его использованием. Пользователь настоящего стандарта несет ответственность за установление соответствующих мер безопасности и охраны труда и определение применимости нормативных ограничений перед использованием.

ASTM F1726-02 Ссылочный документ

  • ASTM F1241 
  • ASTM F1809 Стандартное руководство по выбору и использованию растворов травления для выделения структурных дефектов в кремнии*1997-10-26 Обновление
  • ASTM F1810 
  • ASTM F523 Стандартная практика визуального контроля полированных поверхностей кремниевых пластин без посторонней помощи*1993-10-26 Обновление
  • ASTM F95 

ASTM F1726-02 История

  • 1970 ASTM F1726-02
  • 1997 ASTM F1726-97 Стандартное руководство по анализу кристаллографического совершенства кремниевых пластин



© 2023. Все права защищены.