1.1 Настоящие методы испытаний охватывают измерение длин диффузии неосновных носителей заряда в образцах примесных монокристаллических полупроводниковых материалов или в гомоэпитаксиальных слоях с известным удельным сопротивлением, нанесенных на более сильно легированные подложки того же типа, при условии, что толщина образца или слоя больше в четыре раза больше диффузионной длины. 1.2 Эти методы испытаний основаны на измерении поверхностной фотоэдс (SPV) как функции энергии (длины волны) падающего освещения. Описаны следующие два метода испытаний: 1.2.1 Метод испытаний А — метод поверхностной фотоэдс постоянной величины (CMSPV). 1.2.2 Метод испытаний B — метод линейного фотонапряжения и постоянного потока фотонов (LPVCPF). 1.3 Оба метода испытаний являются неразрушающими. 1.4. Границы применимости в отношении материала образца, удельного сопротивления и срока службы носителей не определены; однако измерения были проведены на образцах кремния n- и p-типа с напряжением от 0,1 до 50 В·см и временем жизни носителей тока всего 2 нс. 1.5 Данные методы испытаний были разработаны для использования на монокристаллических образцах кремния. Их также можно использовать для измерения эффективной длины диффузии в образцах других полупроводников, таких как арсенид галлия (с соответствующей регулировкой диапазона длин волн (энергии) освещения и процедур подготовки образцов) и средней эффективной длины диффузии в образцах поликремния в границы зерен нормальны к поверхности. 1.6 Эти методы испытаний также применялись для определения ширины оголенной зоны кремниевых пластин. 1.7 Данные методы испытаний измеряют диффузионную длину только при комнатной температуре (22°C). Время жизни и диффузионная длина являются функцией температуры. 1.8 Настоящий стандарт не претендует на решение всех проблем безопасности, если таковые имеются, связанных с его использованием. Пользователь настоящего стандарта несет ответственность за установление соответствующих мер безопасности и охраны труда и определение применимости нормативных ограничений перед использованием.
ASTM F391-02 Ссылочный документ
ASTM C34 Стандартные спецификации для несущей настенной плитки из структурной глины*, 1996-10-26 Обновление
ASTM D5127 Стандартное руководство для сверхчистой воды, используемой в электронной и полупроводниковой промышленности*, 1999-10-26 Обновление
ASTM F28 Стандартные методы определения времени жизни неосновных носителей носителей в объемном германии и кремнии путем измерения затухания фотопроводимости*, 1997-06-10 Обновление
ASTM F533 Стандартный метод испытаний толщины и изменения толщины кремниевых пластин*, 1996-10-26 Обновление
ASTM F673 Стандартные методы измерения удельного сопротивления срезов полупроводников или листового сопротивления полупроводниковых пленок бесконтактным вихретоковым датчиком*, 1990-10-26 Обновление
1996ASTM F391-96 Стандартные методы определения диффузионной длины неосновных носителей заряда в внешних полупроводниках путем измерения стационарной поверхностной фотоэдс