ASTM F391-96
Стандартные методы определения диффузионной длины неосновных носителей заряда в внешних полупроводниках путем измерения стационарной поверхностной фотоэдс

Стандартный №

ASTM F391-96

Дата публикации

1996

Разместил

American Society for Testing and Materials (ASTM)

состояние

быть заменен

быть заменен

ASTM F391-02

Последняя версия

ASTM F391-02

сфера применения

1.1 Настоящие методы испытаний охватывают измерение длин диффузии неосновных носителей заряда в образцах примесных монокристаллических полупроводниковых материалов или в гомоэпитаксиальных слоях с известным удельным сопротивлением, нанесенных на более сильно легированные подложки того же типа, при условии, что толщина образца или слоя больше в четыре раза больше диффузионной длины. 1.2 Эти методы испытаний основаны на измерении поверхностной фотоэдс (SPV) как функции энергии (длины волны) падающего освещения. Описаны следующие два метода испытаний: 1.2.1 Метод испытаний А – Метод поверхностной фотоэдс постоянной величины (CMSPV). 1.2.2 Метод испытаний B. Метод линейного фотонапряжения и постоянного потока фотонов (LPVCPF). 1.3 Оба метода испытаний являются неразрушающими. 1.4. Границы применимости в отношении материала образца, удельного сопротивления и срока службы носителей не определены; однако измерения были проведены на кремниевых образцах размером от 0,1 до 50 омега см и -типа с временем жизни носителей тока всего 2 нс. 1.5 Данные методы испытаний были разработаны для использования на монокристаллических образцах кремния. Их также можно использовать для измерения эффективной длины диффузии в образцах других полупроводников, таких как арсенид галлия (с соответствующей регулировкой диапазона длин волн (энергии) освещения и процедур подготовки образцов) и средней эффективной длины диффузии в образцах поликремния в границы зерен нормальны к поверхности. 1.6 Эти методы испытаний также применялись для определения ширины оголенной зоны кремниевых пластин. 1.7 Данные методы испытаний измеряют диффузионную длину только при комнатной температуре (22176°С). Время жизни и диффузионная длина являются функцией температуры. 1.8 Настоящий стандарт не претендует на решение всех проблем безопасности, если таковые имеются, связанных с его использованием. Пользователь настоящего стандарта несет ответственность за установление соответствующих мер безопасности и охраны труда и определение применимости нормативных ограничений перед использованием.

ASTM F391-96 Ссылочный документ

• ASTM D1193 Стандартные спецификации для реагентной воды*， 1999-10-28 Обновление
• ASTM F110 
• ASTM F28 Стандартные методы определения времени жизни неосновных носителей носителей в объемном германии и кремнии путем измерения затухания фотопроводимости*， 1997-06-10 Обновление
• ASTM F533 Стандартный метод испытаний толщины и изменения толщины кремниевых пластин*， 1996-10-28 Обновление
• ASTM F673 Стандартные методы измерения удельного сопротивления срезов полупроводников или листового сопротивления полупроводниковых пленок бесконтактным вихретоковым датчиком
• ASTM F84 
• ASTM F95 

ASTM F391-96 История

• 1970 ASTM F391-02
• 1996 ASTM F391-96 Стандартные методы определения диффузионной длины неосновных носителей заряда в внешних полупроводниках путем измерения стационарной поверхностной фотоэдс