В настоящем документе определен метод измерения концентрации носителей заряда эпитаксиального слоя кремния вольт-емкостным методом, в том числе ртутный зондовый вольт-емкостный метод и бесконтактный вольт-фарадный метод. Этот документ применим к испытанию концентрации носителей однородного эпитаксиального слоя кремния, диапазон испытаний составляет 4×1013 см-3 ~8×1016 см-3, где толщина эпитаксиального слоя кремния более чем в два раза превышает глубина обедненного слоя под испытательным смещением. раз. Испытание концентрации носителей полированных монокристаллических пластин кремния и гомогенных эпитаксиальных пластин карбида кремния также можно сослаться на этот документ, а бесконтактный вольт-фарадный метод не подходит для испытания концентрации носителей гомогенных эпитаксиальных пластин карбида кремния.
GB/T 14146-2021 Ссылочный документ
GB/T 14264 Полупроводниковые материалы. Термины и определения
GB/T 14847 Метод определения толщины эпитаксиальных слоев легколегированного кремния на подложках из сильнолегированного кремния методом отражения инфракрасного излучения
GB/T 1550 Методы испытаний типа проводимости примесных полупроводниковых материалов
GB/T 1551 Метод испытаний для измерения удельного сопротивления монокристаллического кремния — метод линейного четырехточечного зонда и метод двухточечного зонда постоянного тока.
GB/T 6624 Стандартный метод измерения качества поверхности полированных пластинок кремния путем визуального контроля
GB/T 14146-2021 История
2021GB/T 14146-2021 Метод определения концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях кремния — вольт-емкостный метод.
2009GB/T 14146-2009 Эпитаксиальные слои кремния-определение концентрации носителей-напряжения ртутного зонда-емкостный метод