GB/T 14863-2013
Метод определения чистой плотности носителей заряда в эпитаксиальных слоях кремния с помощью вольт-емкости затворных и незатворенных диодов (Англоязычная версия)
- Стандартный №
- GB/T 14863-2013
- язык
- Китайский, Доступно на английском
- Дата публикации
- 2013
- Разместил
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- состояние
- 2017-12
- Последняя версия
- GB/T 14863-2013
- заменять
- GB/T 14863-1993
- сфера применения
- Этот стандарт определяет метод испытаний для определения чистой концентрации носителей в эпитаксиальных слоях кремния с использованием зависимости напряжения от емкости вентильных и незатворных диодов. Настоящий стандарт распространяется на измерение чистой концентрации носителей заряда эпитаксиальных слоев n-типа или p-типа на подложках того же или противоположного типа проводимости с толщиной эпитаксиального слоя не менее определенного минимального значения толщины (см. Приложение А). Этот стандарт также применим для измерения чистой концентрации носителей заряда в полированных кремниевых пластинах.
GB/T 14863-2013 Ссылочный документ
- GB/T 14141 Метод испытаний поверхностного сопротивления эпитаксиальных, диффузных и ионно-имплантированных слоев кремния с использованием коллинеарной четырехзондовой установки
- GB/T 14146 Метод определения концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях кремния — вольт-емкостный метод.*， 2021-05-21 Обновление
- GB/T 14847 Метод определения толщины эпитаксиальных слоев легколегированного кремния на подложках из сильнолегированного кремния методом отражения инфракрасного излучения
GB/T 14863-2013 История
- 2013 GB/T 14863-2013 Метод определения чистой плотности носителей заряда в эпитаксиальных слоях кремния с помощью вольт-емкости затворных и незатворенных диодов
- 1993 GB/T 14863-1993 Стандартный метод измерения чистой плотности носителей заряда в кремниевых эктаксиальных слоях с помощью вольт-емкости затворных и незапертых диодов
