GB/T 14141-2009 Метод испытаний поверхностного сопротивления эпитаксиальных, диффузных и ионно-имплантированных слоев кремния с использованием коллинеарной четырехзондовой установки (Англоязычная версия)
Этот стандарт определяет метод измерения поверхностного сопротивления эпитаксиального слоя кремния, диффузионного слоя и слоя ионной имплантации с помощью четырех встроенных датчиков. Настоящий стандарт применим для измерения среднего поверхностного сопротивления тонкого слоя, сформированного на или под поверхностью кремниевой пластины путем эпитаксии, диффузии или ионной имплантации, диаметром более 15,9 мм. Тип проводимости кремниевой подложки противоположен типу проводимости измеряемого тонкого слоя. Он подходит для измерения тонких слоев толщиной не менее 0,2 мкм, а диапазон измерения поверхностного сопротивления составляет 10 Ом ~ 5000 Ом. Этот метод также можно адаптировать для измерения сопротивления листа с более высокими или более низкими значениями, но точность его измерения не оценивалась.
GB/T 14141-2009 Ссылочный документ
GB/T 11073-2007 Стандартный метод измерения изменения радиального удельного сопротивления на срезах кремния.
GB/T 1552-1995 Методика измерения удельного сопротивления монокристаллического кремния и германия коллинеарной четырехзондовой решеткой
GB/T 14141-2009 История
2009GB/T 14141-2009 Метод испытаний поверхностного сопротивления эпитаксиальных, диффузных и ионно-имплантированных слоев кремния с использованием коллинеарной четырехзондовой установки
1993GB/T 14141-1993 Метод испытаний поверхностного сопротивления эпитаксиальных, диффузных и ионно-имплантированных слоев кремния с использованием коллинеарной четырехзондовой установки