GB/T 14141-1993 Метод испытаний поверхностного сопротивления эпитаксиальных, диффузных и ионно-имплантированных слоев кремния с использованием коллинеарной четырехзондовой установки (Англоязычная версия)
Этот стандарт определяет метод измерения поверхностного сопротивления эпитаксиального слоя кремния, диффузионного слоя и слоя ионной имплантации с помощью четырех встроенных датчиков. Настоящий стандарт применим для измерения среднего поверхностного сопротивления тонкого слоя, сформированного на или под поверхностью кремниевой пластины путем эпитаксии, диффузии или ионной имплантации, диаметром более 10,0 мм. Тип проводимости кремниевой подложки противоположен типу проводимости измеряемого тонкого слоя. Для тонкого слоя толщиной 0,2–3 мкм диапазон измерения составляет 250–5000 Ом; для тонкого слоя толщиной не менее 3 мкм нижний предел измерения поверхностного сопротивления может достигать 10 Ом.
GB/T 14141-1993 История
2009GB/T 14141-2009 Метод испытаний поверхностного сопротивления эпитаксиальных, диффузных и ионно-имплантированных слоев кремния с использованием коллинеарной четырехзондовой установки
1993GB/T 14141-1993 Метод испытаний поверхностного сопротивления эпитаксиальных, диффузных и ионно-имплантированных слоев кремния с использованием коллинеарной четырехзондовой установки