GB/T 14863-1993
Стандартный метод измерения чистой плотности носителей заряда в кремниевых эктаксиальных слоях с помощью вольт-емкости затворных и незапертых диодов (Англоязычная версия)
- Стандартный №
- GB/T 14863-1993
- язык
- Китайский, Доступно на английском
- Дата публикации
- 1993
- Разместил
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- состояние
- 2014-08
- быть заменен
- GB/T 14863-2013
- Последняя версия
- GB/T 14863-2013
- сфера применения
- Этот стандарт определяет принцип, инструменты и материалы, подготовку образцов, процедуры измерения и обработку данных для определения чистой концентрации тока в эпитаксиальном слое кремния с использованием зависимости напряжения от емкости вентильных и незатворных диодов. Настоящий стандарт распространяется на эпитаксиальные слои n- или p-типа на подложках одного или противоположного типа проводимости, толщина эпитаксиального слоя которых не менее определенного минимального значения толщины (см. приложение Б), а также распространяется на объемные материалы.
GB/T 14863-1993 История
- 2013 GB/T 14863-2013 Метод определения чистой плотности носителей заряда в эпитаксиальных слоях кремния с помощью вольт-емкости затворных и незатворенных диодов
- 1993 GB/T 14863-1993 Стандартный метод измерения чистой плотности носителей заряда в кремниевых эктаксиальных слоях с помощью вольт-емкости затворных и незапертых диодов
