General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Последняя версия
GB/T 29504-2013
сфера применения
Настоящий стандарт определяет технические требования, методы испытаний, правила контроля, маркировку, упаковку, транспортировку, хранение и т. д. Настоящий стандарт распространяется на монокристаллы кремния, полученные методом Чохральского, и в основном используется для производства полированных пластин монокристалла кремния диаметром 300 мм, которые соответствуют техническим требованиям интегральных микросхем с шириной линии 0,13 мкм или менее.
GB/T 29504-2013 Ссылочный документ
GB/T 11073-2007 Стандартный метод измерения изменения радиального удельного сопротивления на срезах кремния.
GB/T 14140 Метод испытаний для измерения диаметра полупроводниковой пластины
GB/T 14264 Полупроводниковые материалы. Термины и определения
GB/T 1550 Методы испытаний типа проводимости примесных полупроводниковых материалов*, 2018-12-28 Обновление
GB/T 1551-2009 Метод испытаний для измерения удельного сопротивления монокристаллического кремния
GB/T 1554 Метод испытания кристаллографического совершенства кремния методами избирательного травления
GB/T 1555 Метод определения кристаллической ориентации монокристалла полупроводника*, 2023-08-06 Обновление
GB/T 1557 Метод испытаний для определения содержания межузельного кислорода в кремнии методом инфракрасного поглощения*, 2018-09-17 Обновление
GB/T 1558 Метод определения содержания замещающего атомного углерода кремния методом инфракрасного поглощения
YS/T 679 Измерение длины диффузии неосновных носителей заряда в примесных полупроводниках методом поверхностной фотоэдс*, 2018-10-22 Обновление