ASTM F28-02 - Стандарты и спецификации PDF

ASTM F28-02

Стандартный №
ASTM F28-02
Дата публикации
1970
Разместил
/
Последняя версия
ASTM F28-02
сфера применения
1.1 Настоящие методы испытаний охватывают измерение времени жизни неосновных носителей, соответствующего процессам рекомбинации носителей в объемных образцах примесного монокристалла германия или кремния. 1.2 Данные методы испытаний основаны на измерении спада проводимости образца после генерации носителей световым импульсом. Описаны следующие два метода испытаний: 1.2.1 Метод испытаний A — Метод импульсного света, который подходит как для кремния, так и для прорастания.2 1.2.2 Метод испытаний B — Метод прерываемого света, который предназначен для образцов кремния с удельным сопротивлением около 1 В. ·см.3 1,3 Оба метода испытаний являются неразрушающими в том смысле, что образцы можно использовать повторно для проведения измерений, но эти методы требуют использования специальных образцов в форме стержня такого размера (см. таблицу 1) и состояния поверхности (притертого), что в целом будет непригоден для других приложений. 1.4. Наименьшие измеримые значения срока службы определяются характеристиками выключения источника света, а наибольшие значения определяются в первую очередь размером испытуемого образца (см. таблицу 2). ПРИМЕЧАНИЕ 1 — Время жизни неосновных носителей также может быть выведено из диффузионной длины, измеренной методом поверхностной фотоэдс (SPV), выполненным в соответствии с методами испытаний F 391. Время жизни неосновных носителей равно квадрату диффузионной длины, разделенному на диффузию неосновных носителей. константа, которую можно рассчитать по дрейфовой подвижности. Измерения SPV чувствительны в первую очередь к неосновным операторам связи; вклад основных носителей минимизируется за счет использования области обеднения поверхности. В результате времена жизни, измеренные методом SPV, часто короче, чем времена жизни, измеренные методом распада фотопроводимости (PCD), поскольку фотопроводимость может содержать вклад как основных, так и неосновных носителей заряда. В отсутствие захвата носителей методы SPV и PCD должны давать одинаковые значения времени жизни (1)4 при условии, что для измерений SPV используются правильные значения коэффициента поглощения и что вклады поверхностной рекомбинации должным образом учтены в измерение PCD. 1.5 Настоящий стандарт не претендует на решение всех проблем безопасности, если таковые имеются, связанных с его использованием. Пользователь настоящего стандарта несет ответственность за установление соответствующих мер безопасности и охраны труда и определение применимости нормативных ограничений перед использованием. Конкретные указания на опасность приведены в разделе 9.

ASTM F28-02 Ссылочный документ

  • ASTM D5127  Стандартное руководство для сверхчистой воды, используемой в электронной и полупроводниковой промышленности*1999-10-26 Обновление
  • ASTM F391 Стандартные методы определения диффузионной длины неосновных носителей заряда в внешних полупроводниках путем измерения стационарной поверхностной фотоэдс*1996-01-01 Обновление
  • ASTM F42 Стандартные методы испытаний типа проводимости внешних полупроводниковых материалов*1993-10-26 Обновление
  • ASTM F43 

ASTM F28-02 История

  • 1970 ASTM F28-02
  • 1997 ASTM F28-91(1997) Стандартные методы определения времени жизни неосновных носителей носителей в объемном германии и кремнии путем измерения затухания фотопроводимости



© 2023. Все права защищены.