- Стандартный №
- SJ/T 2658.9-2015
- язык
- Китайский, Доступно на английском
- Дата публикации
- 2015
- Разместил
- Professional Standard - Electron
- Последняя версия
-
SJ/T 2658.9-2015
- заменять
-
SJ 2658.9-1986
- сфера применения
- В настоящей части указаны принципиальная схема измерений, порядок проведения измерений и заданные условия пространственного распределения интенсивности излучения и угла полуинтенсивности полупроводниковых инфракрасных диодов (далее - устройства). Этот раздел относится к полупроводниковым инфракрасным диодам.
SJ/T 2658.9-2015 Ссылочный документ
- CIE 127-1997 Измерение светодиодов
- GB/T 15651-1995 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства и интегральные схемы. Часть 5: Оптоэлектронные устройства
- GB/T 2900.65-2004 Электротехническая терминология-Освещение
- SJ/T 2658.1 Метод измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 1: Общие сведения
- SJ/T 2658.8 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 8: Интенсивность излучения.
SJ/T 2658.9-2015 История
- 2015 SJ/T 2658.9-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 9. Пространственное распределение силы излучения и угла половинной интенсивности.
- 1970 SJ 2658.9-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения пространственного распределения интенсивности и угла половинной интенсивности излучения
SJ/T 2658.9-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 9. Пространственное распределение силы излучения и угла половинной интенсивности. было изменено на SJ 2658.9-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения пространственного распределения интенсивности и угла половинной интенсивности излучения.