SJ/T 2658.8-2015
Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 8: Интенсивность излучения. (Англоязычная версия)

Стандартный №

SJ/T 2658.8-2015

язык

Китайский, Доступно на английском

Дата публикации

2015

Разместил

Professional Standard - Electron

Последняя версия

SJ/T 2658.8-2015

заменять

SJ 2658.8-1986

сфера применения

В этой части указаны принципиальная схема измерения, этапы измерения и заданные условия интенсивности излучения полупроводниковых инфракрасных диодов (далее - устройства). Этот раздел относится к полупроводниковым инфракрасным диодам.

SJ/T 2658.8-2015 Ссылочный документ

• CIE 127-1997 Измерение светодиодов
• GB/T 2900.65-2004 Электротехническая терминология-Освещение
• SJ/T 2658.1 Метод измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 1: Общие сведения

SJ/T 2658.8-2015 История

• 2015 SJ/T 2658.8-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 8: Интенсивность излучения.
• 1970 SJ 2658.8-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения нормальной яркости

SJ/T 2658.8-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 8: Интенсивность излучения. было изменено на SJ 2658.8-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения нормальной яркости.