ISO 15632:2012
Микролучевой анализ. Отдельные параметры производительности прибора для спецификации и проверки энергодисперсионных рентгеновских спектрометров для использования в электронно-зондовом микроанализе.
- Стандартный №
- ISO 15632:2012
- Дата публикации
- 2012
- Разместил
- International Organization for Standardization (ISO)
- состояние
- быть заменен
- ISO 15632:2021
- Последняя версия
- ISO 15632:2021
- сфера применения
- Настоящий международный стандарт определяет наиболее важные величины, которые характеризуют энергодисперсионный рентгеновский спектрометр, состоящий из полупроводникового детектора, предварительного усилителя и блока обработки сигналов в качестве основных частей. Настоящий международный стандарт применим только к спектрометрам с полупроводниковыми детекторами, работающими по принципу твердотельной ионизации. Настоящий международный стандарт определяет минимальные требования и порядок проверки соответствующих рабочих параметров прибора для таких спектрометров, присоединенных к сканирующему электронному микроскопу (SEM) или электронно-зондовому микроанализатору (EPMA). Процедура, используемая для фактического анализа, описана в ISO 22309[2] и ASTM E1508[3] и выходит за рамки настоящего международного стандарта.
ISO 15632:2012 Ссылочный документ
- ISO 23833 Микролучевой анализ - Электронно-зондовый микроанализ (ЭПМА) - Словарь*， 2013-04-01 Обновление
ISO 15632:2012 История
- 2021 ISO 15632:2021 Микролучевой анализ. Отдельные параметры рабочих характеристик прибора для спецификации и проверки энергодисперсионных рентгеновских спектрометров (EDS) для использования со сканирующим электронным микроскопом (SEM) или электронно-зондовым микроанализатором (EPMA).
- 2012 ISO 15632:2012 Микролучевой анализ. Отдельные параметры производительности прибора для спецификации и проверки энергодисперсионных рентгеновских спектрометров для использования в электронно-зондовом микроанализе.
- 2002 ISO 15632:2002 Микролучевой анализ. Технические характеристики энергодисперсионных рентгеновских спектрометров с полупроводниковыми детекторами.
