GB/T 6617-2009 (Англоязычная версия) Метод испытаний для измерения удельного сопротивления кремниевой пластины с использованием датчика сопротивления растекания

Стандартный №: GB/T 6617-2009
язык: Китайский, Доступно на английском
Дата публикации: 2009
Разместил: General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Последняя версия: GB/T 6617-2009
заменять: GB/T 6617-1995

сфера применения: Настоящий стандарт определяет метод измерения удельного сопротивления кремниевых пластин с помощью датчиков сопротивления растекания. Этот стандарт подходит для измерения удельного сопротивления кремниевых пластин с известной ориентацией кристаллов и типом проводимости, а также измерения удельного сопротивления эпитаксиального слоя кремниевых пластин с подложкой того же или инверсного типа. Диапазон измерения: 10-3 Ом·см ~ 102 Ом·см.

GB/T 6617-2009 Ссылочный документ

GB/T 14847 Метод определения толщины эпитаксиальных слоев легколегированного кремния на подложках из сильнолегированного кремния методом отражения инфракрасного излучения*， 2011-01-10 Обновление
GB/T 1550 Методы испытаний типа проводимости примесных полупроводниковых материалов*， 2018-12-28 Обновление
GB/T 1552 Методика измерения удельного сопротивления монокристаллического кремния и германия коллинеарной четырехзондовой решеткой
GB/T 1555 Метод определения кристаллической ориентации монокристалла полупроводника*， 2023-08-06 Обновление

2009 GB/T 6617-2009 Метод испытаний для измерения удельного сопротивления кремниевой пластины с использованием датчика сопротивления растекания
1995 GB/T 6617-1995 Метод испытаний для измерения удельного сопротивления кремниевых пластин с использованием зонда сопротивления растекания