Полупроводниковые устройства повреждаются нейтронами реакторного спектра. Влияние такого повреждения на работу электронного компонента можно определить путем измерения электрических характеристик компонента до и после воздействия быстрых нейтронов в интересующем диапазоне флюенса нейтронов. Полученные данные могут быть использованы при проектировании электронных схем, устойчивых к деградации, проявляемой этим компонентом. В этом руководстве представлен метод, с помощью которого можно проводить воздействие нейтронного облучения полупроводниковых устройств на основе кремния и арсенида галлия повторяемым образом и который позволит проводить сравнение данных, полученных на различных объектах. Для полупроводников, отличных от кремния и арсенида галлия, в этом руководстве представлен метод, который может улучшить согласованность измерений и гарантировать возможность сравнения данных с различных объектов по одной и той же шкале эквивалентной флюенса, когда применимые проверенные функции повреждения при энергии 1 МэВ кодифицированы в Национальном стандарте. стандарты. В отсутствие проверенной функции повреждения при энергии 1 МэВ в качестве приближения можно использовать неионизирующие потери энергии (NIEL) как функцию энергии падающих нейтронов, нормализованную к NIEL при энергии 1 МэВ. Описание метода см. в Практике E 722. 1.1 Настоящее руководство строго применимо только к воздействию нейтронного излучения ядерного реактора на несмещенные полупроводниковые компоненты кремния (SI) или арсенида галлия (GaAs) (интегральные схемы, транзисторы и диоды). источник для определения необратимого повреждения компонентов. Подтвержденные функции повреждения при энергии 1 МэВ, кодифицированные в национальных стандартах, в настоящее время недоступны для других полупроводниковых материалов. 1.2 Элементы настоящего руководства с отмеченными отклонениями могут также быть применимы к воздействию полупроводников, состоящих из других материалов, за исключением тех, которые кодифицировали подтвержденные функции повреждения при энергии 1 МэВ. Национальные стандарты в настоящее время отсутствуют. 1.3 В данном руководстве рассматриваются только условия воздействия. Воздействие радиации на испытуемый образец следует определять с использованием соответствующих методов электрических испытаний. 1.4 В настоящем руководстве рассматриваются вопросы и проблемы, связанные с облучением нейтронами реакторного спектра. 1.5 Воздействия на системы и подсистемы, а также методы испытаний не включены в настоящее руководство. 1.6 Настоящее руководство не включено в данное руководство. Руководство применимо к облучениям, проводимым при работе реактора как в импульсном, так и в установившемся режиме. Диапазон, представляющий интерес для флюенса нейтронов при испытаниях полупроводников на повреждение смещением, составляет примерно от 109 до 1016 н/см. 2.1.7 В настоящем руководстве не рассматриваются индуцированные нейтронами эффекты одиночных или множественных нейтронных событий, а также переходный отжиг. 1.8 В настоящем руководстве представлена альтернатива испытанию. Метод 1017.3, тестирование нейтронного смещения, компонент MIL-STD-883 и MIL-STD-750. Министерство обороны ограничило использование этих MIL-STD программами, существовавшими в 1995 году и ранее. Этот стандарт не претендует на решение всех проблем безопасности, если таковые имеются, связанных с его использованием. Пользователь настоящего стандарта несет ответственность за установление соответствующих мер безопасности и охраны труда и определение применимости нормативных ограничений перед использованием.
ASTM F1190-99(2005) История
2018ASTM F1190-18 Стандартное руководство по нейтронному облучению несмещенных электронных компонентов
2011ASTM F1190-11 Стандартное руководство по нейтронному облучению несмещенных электронных компонентов
1999ASTM F1190-99(2005) Стандартное руководство по нейтронному облучению несмещенных электронных компонентов
1999ASTM F1190-99 Стандартное руководство по нейтронному облучению несмещенных электронных компонентов
1993ASTM F1190-93 Стандартное руководство по нейтронному облучению несмещенных электронных компонентов