1.1 Данная практика применяется к воздействию несмещенных полупроводниковых компонентов кремния (Si) или арсенида галлия (GaAs) нейтронному излучению источника ядерного реактора. В этой практике рассматриваются только условия воздействия. Влияние радиации на испытуемый образец следует определять с использованием соответствующих методов электрических испытаний. 1.2 Воздействие систем и подсистем, а также методы испытаний не включены в данную практику. 1.3 Данная практика применима к облучениям, проводимым при работе реактора как в импульсном, так и в установившемся режиме. Практические пределы флюенса нейтронов ([phi]eq,1MeV,Si или [phi]eq,1MeV,GaAs) при тестировании полупроводников находятся в диапазоне примерно от 10 до 10 16 н/см. 1.4 Эта практика направлена на решение проблем и проблем, связанных с облучением нейтронами с энергией более 10 кэВ. 1.5 Настоящий стандарт не претендует на решение всех проблем безопасности, если таковые имеются, связанных с его использованием. Пользователь настоящего стандарта несет ответственность за установление соответствующих мер безопасности и охраны труда и определение применимости нормативных ограничений перед использованием.
ASTM F1190-93 История
2018ASTM F1190-18 Стандартное руководство по нейтронному облучению несмещенных электронных компонентов
2011ASTM F1190-11 Стандартное руководство по нейтронному облучению несмещенных электронных компонентов
1999ASTM F1190-99(2005) Стандартное руководство по нейтронному облучению несмещенных электронных компонентов
1999ASTM F1190-99 Стандартное руководство по нейтронному облучению несмещенных электронных компонентов
1993ASTM F1190-93 Стандартное руководство по нейтронному облучению несмещенных электронных компонентов