Использование GaAs для полупроводниковых устройств требует последовательной структуры атомной решетки. Однако дефекты решетки или кристалла различного типа и количества присутствуют всегда и редко распределены однородно. Важно определить среднее значение и пространственное распределение плотности ямок травления.1.1 Этот метод испытаний используется для определения того, является ли слиток или пластина арсенида галлия монокристаллическим, и если да, то для измерения плотности ямок травления и для оценки природа кристаллических дефектов. Насколько это возможно, он следует соответствующему методу испытаний для кремния, Методу испытаний F 47. В Методе испытаний F 47 также представлены определения многих кристаллографических терминов, применимых к этому методу испытаний. 1.2 Эта процедура подходит для кристаллов арсенида галлия с плотностью ямок травления от 0 до 200 000/см2. 1.3 Арсенид галлия, легированный или нелегированный, с различными электрическими свойствами, можно оценивать с помощью данного метода испытаний. Направление нормали к передней поверхности образца должно быть параллельно отметке <001> в пределах ± 5° и должен быть соответствующим образом подготовлен путем полировки или травления, или того и другого. Неустраненные повреждения при обработке могут привести к образованию ямок травления, ухудшающих качество объемного кристалла. 1.4 Настоящий стандарт не претендует на решение всех проблем безопасности, если таковые имеются, связанных с его использованием. Пользователь настоящего стандарта несет ответственность за установление соответствующих мер безопасности и охраны труда, а также за определение применимости нормативных ограничений перед использованием. Конкретные указания на опасность приведены в разделе 8.
ASTM F1404-92(2007) Ссылочный документ
ASTM D1125 Стандартные методы испытаний электропроводности и удельного сопротивления воды*, 1995-11-10 Обновление
ASTM E177 Стандартная практика использования терминов «точность» и «предвзятость» в методах испытаний ASTM