Эта часть IEC 60749 применима к полупроводниковым устройствам (дискретным устройствам и интегральным схемам). Целью этого метода испытаний является определение скорости утечки полупроводниковых устройств. П р и м е ч а н и е — Это испытание идентично методу испытаний, содержащемуся в разделе 5 главы 3 МЭК 60749 (1996 г.), поправка 2, за исключением добавления этого раздела и раздела 2 и последующего изменения нумерации.
IEC 60749-8:2002 История
2003IEC 60749-8:2002/COR2:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 8. Герметизация
2003IEC 60749-8:2002/COR1:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 8. Герметизация
2002IEC 60749-8:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 8. Герметизация
IEC 60749-8:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 8. Герметизация было изменено на IEC 60749:1996 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний.