IEC 60749/AMD1:2000
Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний; Поправка 1

Стандартный №

IEC 60749/AMD1:2000

Дата публикации

2000

Разместил

International Electrotechnical Commission (IEC)

состояние

снять со счета 2002-04

быть заменен

IEC 60749/AMD2:2001

Последняя версия

IEC 60749:2002

заменять

IEC 47/1477/FDIS:2000

IEC 60749/AMD1:2000 История

• 2002 IEC 60749:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний
• 2001 IEC 60749/AMD2:2001 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний; Поправка 2
• 2000 IEC 60749/AMD1:2000 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний; Поправка 1
• 1996 IEC 60749:1996 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний
• 1993 IEC 60749/AMD2:1993 Полупроводниковые приборы; механические и климатические методы испытаний; поправка 2
• 1991 IEC 60749/AMD1:1991 Полупроводниковые приборы; механические и климатические методы испытаний; поправка 1
• 1984 IEC 60749:1984 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний

IEC 60749/AMD1:2000 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний; Поправка 1 было изменено на IEC 60749-6:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре..

IEC 60749/AMD1:2000 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний; Поправка 1 было изменено на IEC 60749-9:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 9. Устойчивость маркировки..

IEC 60749/AMD1:2000 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний; Поправка 1 было изменено на IEC 60749-11:2002 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 11. Быстрое изменение температуры; Метод двухжидкостной ванны.

IEC 60749/AMD1:2000 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний; Поправка 1 было изменено на IEC 60749-13:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 13. Соляная атмосфера..

IEC 60749/AMD1:2000 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний; Поправка 1 было изменено на IEC 60749-12:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 12. Вибрация переменной частоты..

IEC 60749/AMD1:2000 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний; Поправка 1 было изменено на IEC 60749-1:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 1. Общие положения..

IEC 60749/AMD1:2000 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний; Поправка 1 было изменено на IEC 60749-8:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 8. Герметизация.

IEC 60749/AMD1:2000 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний; Поправка 1 было изменено на IEC 60749-31:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 31. Воспламеняемость устройств в пластиковых капсулах (внутренне наведенная).

IEC 60749/AMD1:2000 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний; Поправка 1 было изменено на IEC 60749-32:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 32. Воспламеняемость устройств в пластиковых капсулах (внешнее наведение).

IEC 60749/AMD1:2000 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний; Поправка 1 было изменено на IEC 60749-22:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 22. Прочность соединения..

IEC 60749/AMD1:2000 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний; Поправка 1 было изменено на IEC 60749-7:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 7. Измерение внутренней влажности и анализ других остаточных газов..

IEC 60749/AMD1:2000 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний; Поправка 1 было изменено на IEC 60749-10:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 10. Механический удар..

IEC 60749/AMD1:2000 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний; Поправка 1 было изменено на IEC 60749-4:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 4. Влажное тепло, стационарное состояние, высокоускоренное испытание под нагрузкой (HAST)..

IEC 60749/AMD1:2000 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний; Поправка 1 было изменено на IEC 60749-20:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 20. Устойчивость SMD в пластиковой капсуле к совместному воздействию влаги и тепла пайки..

IEC 60749/AMD1:2000 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний; Поправка 1 было изменено на IEC 60749:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний.