IEC 60749-19:2003
Полупроводниковые приборы Механические и климатические методы испытаний Часть 19. Прочность стружки на сдвиг (Редакция 1.0)

Стандартный №

IEC 60749-19:2003

Дата публикации

2003

Разместил

IEC - International Electrotechnical Commission

состояние

быть заменен 2010-11

быть заменен

IEC 60749-19:2010

Последняя версия

IEC 60749-19:2003/AMD1:2010

заменять

IEC 47/1664/FDIS:2002 IEC 60749:1996 IEC 60749 AMD 1:2000 IEC 60749 AMD 2:2001 IEC 60749 Edition 2.2:2002

сфера применения

Эта часть IEC 60749 определяет (см. примечание) целостность материалов и процедур, используемых для крепления полупроводникового кристалла к заголовкам корпуса или другим подложкам (для целей данного метода испытаний термин «полупроводниковый кристалл» следует понимать для включения пассивных элементов). . Этот метод испытаний обычно применим только для полых упаковок или в качестве монитора процесса. Он не применим для участков матрицы размером более 10 мм. Он также неприменим к технологии флип-чипов или гибким подложкам. П р и м е ч а н и е — Это определение основано на измерении силы, приложенной к штампу или элементу, и, в случае возникновения отказа, на типе разрушения, возникающего в результате приложения силы, а также на внешнем виде остаточной среды крепления штампа и заголовка. /металлизация подложки.

IEC 60749-19:2003 История

• 2010 IEC 60749-19:2003/AMD1:2010 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Испытание на прочность на сдвиг.
• 2010 IEC 60749-19:2010 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Испытание на прочность на сдвиг.
• 2003 IEC 60749-19:2003 Полупроводниковые приборы Механические и климатические методы испытаний Часть 19. Прочность стружки на сдвиг (Редакция 1.0)