GB/T 17170-2015
Метод определения концентрации глубоких доноров EL2 в полуизолирующих монокристаллах арсенида галлия методом инфракрасной абсорбционной спектроскопии (Англоязычная версия)
- Стандартный №
- GB/T 17170-2015
- язык
- Китайский, Доступно на английском
- Дата публикации
- 2015
- Разместил
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Последняя версия
- GB/T 17170-2015
- заменять
- GB/T 17170-1997
- сфера применения
- Настоящий стандарт определяет метод испытания на поглощение инфракрасного излучения для концентрации глубокого донора EL2 в полуизолирующем монокристалле арсенида галлия. Настоящий стандарт распространяется на определение концентрации глубокого донора EL2 в нелегированных и легированных углеродом полуизолирующих монокристаллах арсенида галлия с удельным сопротивлением более 106 Ом·см. Настоящий стандарт не распространяется на определение концентрации EL2 глубокого донора монокристаллического монокристалла арсенида галлия, легированного хромом.
GB/T 17170-2015 Ссылочный документ
- GB/T 14264 Полупроводниковые материалы. Термины и определения
GB/T 17170-2015 История
- 2015 GB/T 17170-2015 Метод определения концентрации глубоких доноров EL2 в полуизолирующих монокристаллах арсенида галлия методом инфракрасной абсорбционной спектроскопии
- 1997 GB/T 17170-1997 Метод определения концентрации EL2 на глубоком уровне нелегированного полуизолирующего монокристаллического арсенида галлия методом измерения инфракрасного поглощения
