GB/T 8757-1988
Определение концентрации носителей заряда в арсениде галлия по минимуму плазменного резонанса (Англоязычная версия)

Стандартный №

GB/T 8757-1988

язык

Китайский, Доступно на английском

Дата публикации

1988

Разместил

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

состояние

быть заменен 2006-11

быть заменен

GB/T 8757-2006

Последняя версия

GB/T 8757-2006

сфера применения

Настоящий стандарт распространяется на измерение концентрации носителей в монокристалле легированного арсенида галлия. Диапазон измерения: n-GaAs1,0×1017～1,0×1019см-3; p-GaAs2,0×1018～1,0×10см-3.

GB/T 8757-1988 История

• 2006 GB/T 8757-2006 Определение концентрации носителей заряда в арсениде галлия по минимуму плазменного резонанса
• 1988 GB/T 8757-1988 Определение концентрации носителей заряда в арсениде галлия по минимуму плазменного резонанса