GB/T 8757-2006
Определение концентрации носителей заряда в арсениде галлия по минимуму плазменного резонанса (Англоязычная версия)

Стандартный №

GB/T 8757-2006

язык

Китайский, Доступно на английском

Дата публикации

2006

Разместил

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

Последняя версия

GB/T 8757-2006

заменять

GB/T 8757-1988

сфера применения

Настоящий стандарт распространяется на измерение концентрации носителей в монокристалле легированного галлия. Диапазон измерения: n-GaAs 1,0*1017см-3~1,0*1019см-3 p-GaAs 2,0*1018см< Надстрочный индекс-3>~1,0*1020см-3

GB/T 8757-2006 История

• 2006 GB/T 8757-2006 Определение концентрации носителей заряда в арсениде галлия по минимуму плазменного резонанса
• 1988 GB/T 8757-1988 Определение концентрации носителей заряда в арсениде галлия по минимуму плазменного резонанса