Эта часть 60749 определяет (см. примечание) целостность материалов и процедур, используемых для крепления полупроводникового кристалла к заголовкам корпуса или другим подложкам (для целей данного метода испытаний термин «полупроводниковый кристалл» следует понимать как включающий пассивные элементы). ) Этот метод испытаний обычно применим только к полым упаковкам или в качестве монитора процесса. Это не применимо для площадей матрицы более 10 мм2. он также неприменим к технологии флип-чипов или гибким подложкам.
DS/EN 60749-19:2003 История
2010DS/EN 60749-19/A1:2010 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность матрицы на сдвиг.
2003DS/EN 60749-19:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность матрицы на сдвиг.