DS/EN 60749-19/A1:2010
Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность матрицы на сдвиг.

Стандартный №

DS/EN 60749-19/A1:2010

Дата публикации

2010

Разместил

Danish Standards Foundation

Последняя версия

DS/EN 60749-19/A1:2010

сфера применения

Определяет целостность материалов и процедур, используемых для крепления полупроводникового кристалла к заголовкам корпуса или другим подложкам, обычно применимым только к полым корпусам или в качестве монитора процесса.

DS/EN 60749-19/A1:2010 История

• 2010 DS/EN 60749-19/A1:2010 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность матрицы на сдвиг.
• 2003 DS/EN 60749-19:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность матрицы на сдвиг.