В этой части IEC 60749 описан метод испытаний, используемый для определения устойчивости полупроводникового устройства к тепловым и механическим нагрузкам, возникающим в результате циклического рассеивания мощности внутреннего полупроводникового кристалла и внутренних разъемов. Это происходит, когда низковольтные рабочие смещения для прямой проводимости (токи нагрузки) периодически применяются и удаляются, вызывая быстрые изменения температуры. Испытание на включение и выключение питания предназначено для моделирования типичных применений в силовой электронике и дополняет определение срока службы при высоких температурах (см. IEC 60749-23). Воздействие этого испытания может не вызвать те же механизмы отказа, что и воздействие циклического изменения температуры воздух-воздух или быстрое изменение температуры при использовании метода двухжидкостных ванн. Это испытание вызывает износ и считается разрушительным. П р и м е ч а н и е — Целью данной спецификации не является предоставление моделей прогнозирования для оценки срока службы.
IEC 60749-34:2010 История
2010IEC 60749-34:2010 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Выключение и выключение питания
2005IEC 60749-34:2005 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Выключение и выключение питания
2004IEC 60749-34:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Выключение и выключение питания