Используется для определения устойчивости полупроводникового устройства к тепловым и механическим нагрузкам из-за циклического рассеивания мощности внутреннего полупроводникового кристалла и внутренних разъемов. Это происходит, когда низковольтные рабочие смещения для прямого проводника
IEC 60749-34:2005 История
2010IEC 60749-34:2010 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Выключение и выключение питания
2005IEC 60749-34:2005 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Выключение и выключение питания
2004IEC 60749-34:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Выключение и выключение питания