BS EN 60749-19:2003+A1:2010
Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Умереть прочность на сдвиг
- Стандартный №
- BS EN 60749-19:2003+A1:2010
- Дата публикации
- 2003
- Разместил
- British Standards Institution (BSI)
- Последняя версия
- BS EN 60749-19:2003+A1:2010
- сфера применения
- Эта часть IEC 60749 определяет (см. примечание) целостность материалов и процедур, используемых для крепления полупроводникового кристалла к заголовкам корпуса или другим подложкам (для целей данного метода испытаний термин «полупроводниковый кристалл» следует понимать как включающий пассивные элементы). . Этот метод испытаний обычно применим только для полых упаковок или в качестве монитора процесса. Он не применим для площадей матрицы более 10 мм2. Он также неприменим к технологии флип-чипов или гибким подложкам.
BS EN 60749-19:2003+A1:2010 История
- 2003 BS EN 60749-19:2003+A1:2010 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Умереть прочность на сдвиг
- 2003 BS EN 60749-19:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Прочность матрицы на сдвиг.
