BS EN 60749-19:2003
Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Прочность матрицы на сдвиг.
- Стандартный №
- BS EN 60749-19:2003
- Дата публикации
- 2003
- Разместил
- British Standards Institution (BSI)
- состояние
- 2003-06
- быть заменен
- BS EN 60749-19:2003+A1:2010
- Последняя версия
- BS EN 60749-19:2003+A1:2010
- сфера применения
- Эта часть IEC 60749 определяет (см. примечание) целостность материалов и процедур, используемых для крепления полупроводникового кристалла к заголовкам корпуса или другим подложкам (для целей данного метода испытаний термин «полупроводниковый кристалл» следует понимать для включения пассивных элементов). . Этот метод испытаний обычно применим только для полых упаковок или в качестве монитора процесса. Он не применим для участков матрицы размером более 10 мм. Он также неприменим к технологии флип-чипов или гибким подложкам. П р и м е ч а н и е — Это определение основано на измерении силы, приложенной к штампу или элементу, и, в случае возникновения отказа, на типе разрушения, возникающего в результате приложения силы, а также на внешнем виде остаточной среды крепления штампа и заголовка. /металлизация подложки.
BS EN 60749-19:2003 История
- 2003 BS EN 60749-19:2003+A1:2010 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Умереть прочность на сдвиг
- 2003 BS EN 60749-19:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Прочность матрицы на сдвиг.
