В этом руководстве рассматривается использование источников FXR-излучения для определения выгорания высокой мощности дозы в полупроводниковых устройствах. Цель этого руководства — предоставить систематический подход к тестированию на выгорание. В этом руководстве определены и обсуждаются различные типы возможных режимов отказа. В частности, отказ может определяться изменением параметров устройства или катастрофическим отказом устройства. Это руководство можно использовать для определения живучести устройства, то есть того, что устройство выдерживает заданный уровень; или руководство можно использовать для определения мощности дозы для выживания устройства. Однако, поскольку последнее испытание является разрушительным, минимальный уровень мощности дозы, вызывающий отказ, должен определяться статистически. 1.1. Настоящее руководство определяет подробные требования к испытаниям микросхем на отказ, вызванный ионизацией с высокой мощностью дозы короткого импульса. Требуются большие импульсные рентгеновские аппараты (FXR), работающие в фотонном режиме, или установки электронного луча FXR из-за высоких уровней мощности дозы, которые необходимы, чтобы вызвать выгорание. Возможны два режима испытаний (1) тест на выживаемость и (2) тест на уровень отказа. 1.2 Значения, указанные в Международной системе единиц (СИ), следует рассматривать как стандартные. Никакие другие единицы измерения в настоящий стандарт не включены.
ASTM F1893-98(2003) История
2018ASTM F1893-18 Руководство по измерению живучести ионизирующей дозы и выгорания полупроводниковых приборов
2011ASTM F1893-11 Руководство по измерению живучести ионизирующей дозы и выгорания полупроводниковых приборов
1998ASTM F1893-98(2003) Руководство по измерению мощности ионизирующей дозы выгорания полупроводниковых приборов
1998ASTM F1893-98 Руководство по измерению мощности ионизирующей дозы выгорания полупроводниковых приборов