Стационарный фототок простого диода с pn-переходом представляет собой непосредственно измеримую величину, которую можно напрямую связать с реакцией устройства в широком диапазоне ионизирующего излучения. Для более сложных устройств фототок перехода может не быть напрямую связан с реакцией устройства. Стабилитрон 8212; В этом устройстве обычно наиболее важным является влияние фототока на напряжение Зенера, а не сам фототок. Устройство лучше всего тестировать при смещении в области Зенера. При тестировании стабилитронов или прецизионных регуляторов напряжения необходимо принять дополнительные меры предосторожности, чтобы убедиться, что фототок, генерируемый в устройстве во время облучения, не вызывает изменения напряжения на устройстве во время теста. Биполярный транзистор8212; Поскольку геометрия устройства требует, чтобы фототок от перехода база-коллектор был намного больше, чем ток от перехода база-эмиттер, измерения обычно проводятся только на переходе коллектор-база с открытым эмиттером; однако иногда для получения данных для компьютерного анализа схем также измеряют фототок перехода эмиттер-база. Полевое устройство перехода 8212; Для правильного измерения фототока необходимо, чтобы источник был закорочен (постоянный ток) на сток во время измерения фототока затворного канала. В устройствах с тетродным подключением два перехода затвор-канал следует контролировать отдельно. Полевое устройство с изолированным затвором8212; В устройствах этого типа истинный фототок проходит между подложкой и областями канала, истока и стока. Ток, который может генерировать напряжение, которое включит устройство, может быть измерен с помощью метода, используемого здесь, но он обусловлен индуцированной проводимостью в изоляторе затвора и, следовательно, не является фототоком перехода. 1.1. Этот метод испытаний охватывает измерение установившегося тока. состояние первичного фототока Ipp, генерируемого в полупроводниковых устройствах, когда эти устройства подвергаются воздействию ионизирующего излучения. Эти процедуры предназначены для измерения фототоков, превышающих 10-9 As/Gy(Si или Ge), в случаях, когда время релаксации измеряемого устройства составляет менее 25% ширины импульса ионизирующего источника. Была установлена применимость этих процедур для мощностей ионизирующих доз до 108 Гр(Si или Ge)/с. Эти процедуры можно использовать для измерений при мощности дозы до 1010 Гр(Si или Ge)/с; однако необходимо соблюдать особую осторожность. При нагрузках выше 108 Гр/с отклик корпуса может доминировать над откликом устройства для таких технологий, как комплементарный металл-оксид-полупроводник (КМОП)/кремний-на-сапфире (SOS). Дополнительные меры предосторожности также необходимы при измерении фототоков 10-9 As/Gy(Si или Ge) или ниже. 1.2. В данный метод испытаний также включены процедуры настройки, калибровки и оценки испытательной схемы. 1.3 Из-за различий между типами устройств и требований различных применений диапазон мощности дозы, в котором должно проводиться какое-либо конкретное испытание, в данном методе испытаний не указан, а должен указываться отдельно. 1.4 Значения, указанные в Международной системе единиц (СИ), считаются стандартными. Никакие другие единицы измерения в настоящий стандарт не включены. 1.5 Настоящий стандарт не претендует на решение всех проблем безопасности, если таковые имеются, связанных с его использованием. Пользователь настоящего стандарта несет ответственность за установление соответствующих мер безопасности и охраны труда и определение применимости нормативных ограничений перед использованием.
ASTM F448-99(2005) История
2018ASTM F448-18 Стандартный метод измерения стационарного первичного фототока
2011ASTM F448-11 Метод испытаний для измерения стационарного первичного фототока
1999ASTM F448-99(2005) Метод испытаний для измерения стационарного первичного фототока
1999ASTM F448-99 Метод испытаний для измерения стационарного первичного фототока