IEC 60749-36:2003
Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 36. Ускорение в установившемся состоянии.

Стандартный №

IEC 60749-36:2003

Дата публикации

2003

Разместил

International Electrotechnical Commission (IEC)

Последняя версия

IEC 60749-36:2003

заменять

IEC 47/1667/FDIS:2002 IEC 60749:1996 IEC 60749 AMD 2:2001 IEC 60749 Edition 2.2:2002

сфера применения

В этой части IEC 60749 предусмотрены испытания для определения влияния постоянного ускорения на полупроводниковые устройства резонаторного типа. Это ускоренное испытание, предназначенное для выявления типов структурных и механических недостатков, которые не обязательно обнаруживаются при испытаниях на удар и вибрацию. Его можно использовать в качестве испытания под высоким напряжением (разрушающего) для определения механических пределов корпуса, внутренней металлизации и системы выводов, крепления кристалла или подложки и других элементов микроэлектронного устройства. Когда установлены надлежащие уровни напряжения, этот метод испытаний также можно использовать в качестве неразрушающего встроенного 100 %-ного скрининга для обнаружения и устранения устройств с механической прочностью ниже нормальной в любом из элементов конструкции. В целом этот метод испытаний в установившемся режиме ускорения соответствует IEC 60068-2-7, но из-за особых требований к полупроводникам применяются положения настоящего стандарта.

IEC 60749-36:2003 История

• 2003 IEC 60749-36:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 36. Ускорение в установившемся состоянии.