GB/T 6616-1995
Метод испытаний для измерения удельного сопротивления полупроводникового кремния или поверхностного сопротивления полупроводниковых пленок бесконтактным вихретоковым датчиком (Англоязычная версия)
- Стандартный №
- GB/T 6616-1995
- язык
- Китайский, Доступно на английском
- Дата публикации
- 1995
- Разместил
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- состояние
- 2010-06
- быть заменен
- GB/T 6616-2009
- Последняя версия
- GB/T 6616-2023
- сфера применения
- Настоящий стандарт определяет бесконтактный метод вихретокового измерения объемного сопротивления кремниевых пластин и поверхностного сопротивления тонких кремниевых пленок. Настоящий стандарт применяется для измерения удельного сопротивления и поверхностного сопротивления кремниевых тонких пленок монокристаллического кремния, режущих, шлифовальных и полирующих пластин (сокращенно кремниевых пластин) с диаметром или длиной стороны более 30 мм и толщиной от 0,1 до 1 мм. При измерении сопротивления тонкопленочной пленки эффективное поверхностное сопротивление подложки должно быть как минимум в 1000 раз больше поверхностного сопротивления тонкой пленки. Диапазоны измерения объемного сопротивления кремниевой пластины и сопротивления листа кремниевой пленки составляют 1,0×10-3～2×102Ом см и 2～3×103π/□.
GB/T 6616-1995 История
- 2023 GB/T 6616-2023 Бесконтактный вихретоковый метод измерения удельного сопротивления полупроводниковых пластин и листов полупроводниковых пленок.
- 2009 GB/T 6616-2009 Методы испытаний измерения удельного сопротивления полупроводниковых пластин или поверхностного сопротивления полупроводниковых пленок бесконтактным вихретоковым датчиком
- 1995 GB/T 6616-1995 Метод испытаний для измерения удельного сопротивления полупроводникового кремния или поверхностного сопротивления полупроводниковых пленок бесконтактным вихретоковым датчиком
