GB 11068-1989
Вольт-емкостный метод измерения концентрации носителей в эпитаксиальном слое GaAs (Англоязычная версия)

Стандартный №

GB 11068-1989

язык

Китайский, Доступно на английском

Дата публикации

1989

Разместил

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

состояние

быть заменен 2006-11

быть заменен

GB/T 11068-2006

Последняя версия

GB/T 11068-2006

GB 11068-1989 История

• 2006 GB/T 11068-2006 Эпитаксиальный слой арсенида галлия. Определение концентрации носителей тока вольт-емкостным методом.
• 1989 GB 11068-1989 Вольт-емкостный метод измерения концентрации носителей в эпитаксиальном слое GaAs