SJ/T 2658.16-2016
Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 16: Эффективность фотоэлектрического преобразования. (Англоязычная версия)

Стандартный №

SJ/T 2658.16-2016

язык

Китайский, Доступно на английском

Дата публикации

2016

Разместил

Professional Standard - Electron

Последняя версия

SJ/T 2658.16-2016

сфера применения

В этой части описывается принципиальная схема измерения, этапы измерения и заданные условия эффективности фотоэлектрического преобразования полупроводниковых инфракрасных диодов (далее именуемых устройствами). Этот раздел относится к полупроводниковым инфракрасным диодам.

SJ/T 2658.16-2016 Ссылочный документ

• SJ/T 2658.1 Метод измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 1: Общие сведения
• SJ/T 2658.6 Метод измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 6: Мощность излучения.

SJ/T 2658.16-2016 История

• 2016 SJ/T 2658.16-2016 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 16: Эффективность фотоэлектрического преобразования.