SJ/T 2658.3-2015
Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 3: Обратное напряжение и обратный ток. (Англоязычная версия)

Стандартный №

SJ/T 2658.3-2015

язык

Китайский, Доступно на английском

Дата публикации

2015

Разместил

Professional Standard - Electron

Последняя версия

SJ/T 2658.3-2015

заменять

SJ/T 2658.3-1986

сфера применения

В этой части описывается принципиальная схема измерения, процедура измерения и заданные условия обратного напряжения и обратного тока полупроводникового инфракрасного диода (далее - устройство). Этот раздел относится к полупроводниковым инфракрасным диодам.

SJ/T 2658.3-2015 Ссылочный документ

• GB/T 15651-1995 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства и интегральные схемы. Часть 5: Оптоэлектронные устройства
• SJ/T 2658.1 Метод измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 1: Общие сведения

SJ/T 2658.3-2015 История

• 2015 SJ/T 2658.3-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 3: Обратное напряжение и обратный ток.
• 0000 SJ/T 2658.3-1986