- Стандартный №
- SJ/T 2658.2-2015
- язык
- Китайский, Доступно на английском
- Дата публикации
- 2015
- Разместил
- Professional Standard - Electron
- Последняя версия
-
SJ/T 2658.2-2015
- заменять
-
SJ 2658.2-1986
- сфера применения
- В этой части описывается принципиальная схема измерения, этапы измерения и заданные условия для прямого напряжения полупроводниковых инфракрасных диодов (далее - устройства). Этот раздел относится к полупроводниковым инфракрасным диодам.
SJ/T 2658.2-2015 Ссылочный документ
- SJ/T 2658.1 Метод измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 1: Общие сведения
SJ/T 2658.2-2015 История
- 2015 SJ/T 2658.2-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 2: Прямое напряжение
- 1970 SJ 2658.2-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения прямого падения напряжения
SJ/T 2658.2-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 2: Прямое напряжение было изменено на SJ 2658.2-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения прямого падения напряжения.