SJ/T 11490-2015
Метод испытаний для измерения плотности ямок травления (EPD) в пластинах арсенида галлия с низкой плотностью дислокаций (Англоязычная версия)

Стандартный №

SJ/T 11490-2015

язык

Китайский, Доступно на английском

Дата публикации

2015

Разместил

Professional Standard - Electron

Последняя версия

SJ/T 11490-2015

сфера применения

Настоящий стандарт определяет метод измерения плотности ямок травления (EPD) полированных пластин арсенида галлия (GaAs) с низкой плотностью дислокаций. Настоящий стандарт применяется к измерению ЭПД круглых пластин GaAs диаметром 2 дюйма и 3 дюйма и ЭПД менее 5000/см.

SJ/T 11490-2015 Ссылочный документ

• GB/T 8760-2006 Монокристалл арсенида галлия – определение плотности дислокаций

SJ/T 11490-2015 История

• 2015 SJ/T 11490-2015 Метод испытаний для измерения плотности ямок травления (EPD) в пластинах арсенида галлия с низкой плотностью дислокаций