DS/EN 62416:2010
Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов

Стандартный №

DS/EN 62416:2010

Дата публикации

2010

Разместил

Danish Standards Foundation

Последняя версия

DS/EN 62416:2010

сфера применения

В стандарте IEC 62416:2010 описывается испытание горячей несущей на уровне пластины на транзисторах NMOS и PMOS. Тест предназначен для определения того, соответствуют ли отдельные транзисторы в определенном (C) МОП-процессе требуемому сроку службы горячих носителей.

DS/EN 62416:2010 История

• 2010 DS/EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов