GJB 33/16-2011
Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация на полупроводниковый фототранзистор типа 3ДУ32. (Англоязычная версия)

Стандартный №

GJB 33/16-2011

язык

Китайский, Доступно на английском

Дата публикации

2011

Разместил

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department

Последняя версия

GJB 33/16-2011

сфера применения

В данной спецификации указаны подробные требования к полупроводниковому фототранзистору типа 3DU32 (далее «устройство»). Данная спецификация применяется к разработке, производству и закупкам устройств.

GJB 33/16-2011 Ссылочный документ

• GJB 128A-1997 Методы испытаний полупроводниковых дискретных устройств
• GJB 33A-1997 Общие спецификации полупроводниковых дискретных устройств
• GJB 4027A-2006 Методы разрушающего физического анализа компонентов военной электроники

GJB 33/16-2011 История

• 2011 GJB 33/16-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация на полупроводниковый фототранзистор типа 3ДУ32.