GJB 1420B-2011 (Англоязычная версия) Общие технические условия на корпуса полупроводниковых интегральных схем - Стандарты и спецификации PDF

GJB 1420B-2011
Общие технические условия на корпуса полупроводниковых интегральных схем (Англоязычная версия)

Стандартный №
GJB 1420B-2011
язык
Китайский, Доступно на английском
Дата публикации
2011
Разместил
Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department
состояние
 2016-03
быть заменен
GJB 1420B-2011(XG1-2015)
Последняя версия
GJB 1420B-2011(XG1-2015)
сфера применения
Эта спецификация определяет общие требования к производству и поставке корпусов военных полупроводниковых интегральных схем (далее именуемых «корпусами»), а также требования к обеспечению качества и надежности, которым должны соответствовать корпуса. Эта спецификация применяется к многослойным керамическим корпусам для полупроводниковых интегральных схем. Оболочка обычно относится к основанию.

GJB 1420B-2011 Ссылочный документ

  • GB/T 16526 Метод измерения межвыводной и нагрузочной емкости корпусных выводов.
  • GB/T 7092 Габаритные размеры полупроводниковых интегральных схем*2021-03-09 Обновление
  • GJB 179A-1996 Процедуры и таблицы выборочного контроля подсчета
  • GJB 3014 Статистическая система управления технологическими процессами электронных компонентов
  • GJB 546 Схема гарантии надежности электронных компонентов
  • GJB 548 Методы и процедуры испытаний микроэлектронных устройств
  • SJ 20129  Методы измерения толщины металлического покрытия
  • SJ 20151 Спецификация на никелевые полоски для электронных устройств
  • YB/T 5231-2005 Герметичный сплав железо-никель-кобальт с постоянным расширением
  • YB/T 5235-2005 Герметичный железо-никель-хром, железо-никелевый сплав с постоянным расширением

GJB 1420B-2011 История

  • 0000 GJB 1420B-2011(XG1-2015)
  • 2011 GJB 1420B-2011 Общие технические условия на корпуса полупроводниковых интегральных схем
  • 1999 GJB 1420A-1999 Общие спецификации корпусов полупроводниковых интегральных схем
  • 1992 GJB 1420-1992 Общие технические условия на корпуса полупроводниковых интегральных схем



© 2023. Все права защищены.