GB/T 27760-2011
Метод испытаний для калибровки z-увеличения атомно-силового микроскопа на субнанометровых уровнях смещения с использованием одноатомных ступеней Si(111) (Англоязычная версия)
- Стандартный №
- GB/T 27760-2011
- язык
- Китайский, Доступно на английском
- Дата публикации
- 2011
- Разместил
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Последняя версия
- GB/T 27760-2011
- сфера применения
- Настоящий стандарт определяет метод измерения для калибровки шкалы атомно-силового микроскопа в направлении z с использованием образца с высотой ступени атома в кристаллической плоскости Si(111). Этот стандарт применим к атомно-силовым микроскопам, работающим в атмосфере или вакууме, а его увеличение в направлении z достигает максимального уровня, то есть смещение в направлении z находится в диапазоне нанометров и субнанометров. Это атомно-силовой микроскоп, используемый для обнаружения поверхностей полупроводников, оптических устройств. Диапазон обнаружения часто используется на поверхностях и других поверхностях высокотехнологичных компонентов. Этот стандарт не указывает на все возможные проблемы безопасности. Перед применением настоящего стандарта пользователь несет ответственность за принятие соответствующих мер безопасности и охраны труда, а также за обеспечение соблюдения условий, предусмотренных соответствующими национальными правилами.
GB/T 27760-2011 Ссылочный документ
- ISO 25178-6:2010 Геометрические характеристики изделия (GPS). Текстура поверхности: площадь. Часть 6. Классификация методов измерения текстуры поверхности.
- ISO/IEC Guide 98-3:2008 Неопределенность измерения. Часть 3. Руководство по выражению неопределенности измерения (GUM:1995).
- ISO/TS 21748:2004 Руководство по использованию оценок повторяемости, воспроизводимости и правильности при оценке неопределенности измерений
GB/T 27760-2011 История
- 2011 GB/T 27760-2011 Метод испытаний для калибровки z-увеличения атомно-силового микроскопа на субнанометровых уровнях смещения с использованием одноатомных ступеней Si(111)
