General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Последняя версия
GB/T 26070-2010
сфера применения
Настоящий стандарт определяет метод испытаний на подповерхностные повреждения монокристаллических полированных пластин полупроводниковых соединений III-V. Этот стандарт применим для измерения подповерхностных повреждений GaAs, InP (может относиться к GaP, GaSb) и других полупроводниковых монокристаллических полированных пластин.
GB/T 26070-2010 История
2011GB/T 26070-2010 Характеристика подповерхностных повреждений в полированных составных полупроводниковых пластинах методом разностной спектроскопии отражения